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IXBL64N250
100
Fig. 7. Transconductance
200
Fig. 8. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
90
80
70
T J = - 40oC
25oC
180
160
140
60
50
40
30
20
10
0
125oC
120
100
80
60
40
20
0
T J = 25oC
T J = 125oC
0
20
40
60
80
100
120
140
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
16
I C - Amperes
Fig. 9. Gate Charge
100,000
V F - Volts
Fig. 10. Capacitance
14
V CE = 600V
f = 1 MHz
12
I C = 64A
I G = 10mA
10,000
Cies
10
8
6
1,000
Coes
4
2
0
100
10
Cres
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
0
5
10
15
20
25
30
35
40
180
160
140
Q G - NanoCoulombs
Fig. 11. Reverse-Bias Safe Operating Area
1
0.1
V CE - Volts
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
120
100
0.01
80
60
40
T J = 125oC
R G = 1 ?
0.001
20
0
dv / dt < 10V / ns
0.0001
250
500
750
1000
1250
1500
1750
2000
2250
2500
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V CE - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
Pulse Width - Seconds
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